Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STF23NM50N

STF23NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTF23NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current11 A
Рассеиваемая мощность30 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP

Документация

Документ производителя