Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STF19NM50N

STF19NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
56 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTF19NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current10 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation110 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 10A; Idm: 56A

Документация

Документ производителя