STMICROELECTRONICS
Транзистор STF13NM60N
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 6.93 A
- Рассеиваемая мощность
- 25 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 35 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%830,35 ₽
Сумма · с НДС 22%830,35 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 830,35 ₽ | |
| от 10 | 558,56 ₽ | |
| от 50 | 507,96 ₽ | |
| от 100 | 466,72 ₽ | |
| от 200 | 425,48 ₽ | |
| от 500 | 371,13 ₽ | |
| от 1000 | 331,76 ₽ | |
| от 1250 | 320,52 ₽ | |
| от 2000 | 290,53 ₽ | |
| от 5000 | 238,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STF13NM60N |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 6.93 A |
| Рассеиваемая мощность | 25 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 0.36 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.