Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD9NM60N

STD9NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.5 A
Pulsed drain current
26 A
Power dissipation
70 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD9NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.5 A
Pulsed drain current26 A
Power dissipation70 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance745 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.