Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD8N65M5

STD8N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
70 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD8N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4.4 A
Power dissipation70 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя