Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD7N60M2

STD7N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
3.5 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD7N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current3.5 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя