Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD6N60M2

STD6N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
2.9A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
60W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD6N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current2.9A
Pulsed drain current18A
Power dissipation60W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance1.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя