Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD6N60DM2

STD6N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD6N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance1.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 60W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.