STMICROELECTRONICS
Транзистор STD5NM60T4
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Technology
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600V
- Drain current
- 3.1A
- Power dissipation
- 96W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STD5NM60T4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 3.1A |
| Power dissipation | 96W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.