Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD5NM60-1

STD5NM60-1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
3.1A
Pulsed drain current
20A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD5NM60-1
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current3.1A
Pulsed drain current20A
Power dissipation96W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK

Документация

Документ производителя