Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD4NK100Z

STD4NK100Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
1A
Pulsed drain current
8.8A
Power dissipation
90W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD4NK100Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current1A
Pulsed drain current8.8A
Power dissipation90W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance6.8Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя