Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.57 A
Power dissipation
70 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 780 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%273,57 ₽

Сумма · с НДС 22%273,57 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1273,57 ₽
от 5191,12 ₽
от 10152,78 ₽
от 50114,44 ₽
от 75103,07 ₽
от 15095,56 ₽
от 52591,13 ₽
от 112581,88 ₽
от 225076,48 ₽
от 562573,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTD3NK80Z-1
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.57 A
Power dissipation70 W
КорпусI2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD

Документация

Документ производителя