Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD2HNK60Z

STD2HNK60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
2A
Power dissipation
45W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD2HNK60Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current2A
Power dissipation45W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance4.8Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK

Документация

Документ производителя