Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD2HNK60Z-1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
2 A
Power dissipation
45 W
Корпус
IPAK, TO251
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTD2HNK60Z-1
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current2 A
Power dissipation45 W
КорпусIPAK, TO251
On-state resistance4.8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.