STMICROELECTRONICS
Транзистор STD1NK80ZT4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 1 A
- Power dissipation
- 45 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 368 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%159,91 ₽
Сумма · с НДС 22%159,91 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 159,91 ₽ | |
| от 10 | 134,09 ₽ | |
| от 50 | 121,37 ₽ | |
| от 100 | 111,93 ₽ | |
| от 500 | 89,59 ₽ | |
| от 1000 | 79,95 ₽ | |
| от 2500 | 67,04 ₽ | |
| от 5000 | 60,30 ₽ | |
| от 7500 | 53,37 ₽ | |
| от 12500 | 47,97 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STD1NK80ZT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 1 A |
| Power dissipation | 45 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 16 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.