Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD1NK60-1

STD1NK60-1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
0.63A
Power dissipation
30W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD1NK60-1
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current0.63A
Power dissipation30W
КорпусI2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance8.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD

Документация

Документ производителя