Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD18N65M5

STD18N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
9.4A
Power dissipation
110W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD18N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current9.4A
Power dissipation110W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.22Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя