STMICROELECTRONICS
Транзистор STD18N60M6
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 13 A
- Pulsed drain current
- 38 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 767 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%412,93 ₽
Сумма · с НДС 22%412,93 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 412,93 ₽ | |
| от 10 | 284,25 ₽ | |
| от 25 | 247,76 ₽ | |
| от 50 | 243,92 ₽ | |
| от 75 | 240,08 ₽ | |
| от 100 | 234,32 ₽ | |
| от 500 | 230,48 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STD18N60M6 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 13 A |
| Pulsed drain current | 38 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 0.23 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 16.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.