STMICROELECTRONICS
Транзистор STD18N55M5
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Technology
- MDmesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 16 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STD18N55M5 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | MDmesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 16 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±25 V |
| On-state resistance | 192 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 110W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.