Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD11N65M2

STD11N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™
Drain-source voltage
650V
Drain current
7A
Power dissipation
85W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD11N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™
Drain-source voltage650V
Drain current7A
Power dissipation85W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 7A; 85W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.