Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STD10N60M2

STD10N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
4.9A
Power dissipation
85W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTD10N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current4.9A
Power dissipation85W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD

Документация

Документ производителя