Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB9NK60ZT4

STB9NK60ZT4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTB9NK60ZT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4.4 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя