Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB9NK50ZT4

STB9NK50ZT4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
4.5 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTB9NK50ZT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current4.5 A
Power dissipation110 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя