Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB80N20M5

STB80N20M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
38A
Power dissipation
190W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB80N20M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current38A
Power dissipation190W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance23mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38A; 190W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя