STMICROELECTRONICS
Транзистор STB7NK80ZT4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 3.3 A
- Power dissipation
- 125 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 013 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%477,70 ₽
Сумма · с НДС 22%477,70 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 477,70 ₽ | |
| от 5 | 383,66 ₽ | |
| от 10 | 342,29 ₽ | |
| от 50 | 259,54 ₽ | |
| от 100 | 235,09 ₽ | |
| от 125 | 227,57 ₽ | |
| от 500 | 199,36 ₽ | |
| от 1000 | 188,07 ₽ | |
| от 2000 | 182,43 ₽ | |
| от 3000 | 176,79 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STB7NK80ZT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 3.3 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.8 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.