Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB6N80K5

STB6N80K5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
4.5 A
Power dissipation
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 898 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%554,85 ₽

Сумма · с НДС 22%554,85 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1554,85 ₽
от 10339,08 ₽
от 40285,13 ₽
от 50277,43 ₽
от 100252,38 ₽
от 150235,04 ₽
от 500219,63 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTB6N80K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current4.5 A
Power dissipation85 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; 85W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.