Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB6N60M2

STB6N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
4.5A
Power dissipation
60W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB6N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current4.5A
Power dissipation60W
КорпусD2PAK
On-state resistance1.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 60W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.