Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB57N65M5

STB57N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
26.5A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB57N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current26.5A
Power dissipation250W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance63mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя