STMICROELECTRONICS
Транзистор STB55NF06T4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 35 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 507 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%608,24 ₽
Сумма · с НДС 22%608,24 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 608,24 ₽ | |
| от 5 | 415,66 ₽ | |
| от 10 | 358,46 ₽ | |
| от 50 | 261,22 ₽ | |
| от 100 | 234,52 ₽ | |
| от 500 | 188,76 ₽ | |
| от 1000 | 175,42 ₽ | |
| от 2000 | 163,98 ₽ | |
| от 3000 | 158,26 ₽ | |
| от 5000 | 154,44 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STB55NF06T4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 35 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 18 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.