Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB55NF06LT4

STB55NF06LT4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
39 A
Power dissipation
95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB55NF06LT4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current39 A
Power dissipation95 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя