Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB45N60DM2AG

STB45N60DM2AG
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
21A
Pulsed drain current
136A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB45N60DM2AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current21A
Pulsed drain current136A
Power dissipation250W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance93mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK

Документация

Документ производителя