Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
34 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTB42N60M2-EP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current34 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance87 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; 250W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.