Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB38N65M5

STB38N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB38N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Power dissipation190 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя