Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB34NM60ND

STB34NM60ND
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
FDmesh™ II
Drain-source voltage
600 V
Drain current
29 A
Power dissipation
190 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB34NM60ND
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияFDmesh™ II
Drain-source voltage600 V
Drain current29 A
Power dissipation190 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±25 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80.4nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600V; 29A; 190W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.