Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB28N65M2

STB28N65M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB28N65M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current13 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation170 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A; 170W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя