Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB28N60M2

STB28N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
22 A
Power dissipation
170 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB28N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current22 A
Power dissipation170 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 170W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.