Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB24N60DM2

STB24N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 922 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%750,40 ₽

Сумма · с НДС 22%750,40 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1750,40 ₽
от 2670,21 ₽
от 10490,72 ₽
от 50370,43 ₽
от 100358,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTB24N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Power dissipation150 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя