Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB23NM50N

STB23NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
11 A
Power dissipation
125 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB23NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current11 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK

Документация

Документ производителя