Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB18NM80

STB18NM80
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
17 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB18NM80
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current17 A
Power dissipation190 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance0.295 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 190W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.