Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB18NM60ND

STB18NM60ND
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
8.19A
Pulsed drain current
52A
Power dissipation
130W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB18NM60ND
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current8.19A
Pulsed drain current52A
Power dissipation130W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.29Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.