STMICROELECTRONICS
Транзистор STB18NF25
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Technology
- STripFET™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 250 V
- Drain current
- 12 A
- Pulsed drain current
- 68 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STB18NF25 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | STripFET™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 250 V |
| Drain current | 12 A |
| Pulsed drain current | 68 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.165 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 29.3nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.