Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB18N60M2

STB18N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
13 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB18N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current13 A
Power dissipation110 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance255 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 110W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.