Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB14NM50N

STB14NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
550 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
48 A
Рассеиваемая мощность
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 954 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%597,41 ₽

Сумма · с НДС 22%597,41 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1597,41 ₽
от 10352,17 ₽
от 25328,20 ₽
от 50306,08 ₽
от 100278,42 ₽
от 500232,32 ₽
от 1000219,42 ₽
от 2000204,67 ₽
от 3000199,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTB14NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage550 V
Drain current12 A
Pulsed drain current48 A
Рассеиваемая мощность90 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.