Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB13NM60N

STB13NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6.93 A
Power dissipation
90 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 465 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%284,92 ₽

Сумма · с НДС 22%284,92 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1284,92 ₽
от 10189,95 ₽
от 100161,46 ₽
от 250153,86 ₽
от 500150,06 ₽
от 1000146,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTB13NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6.93 A
Power dissipation90 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK

Документация

Документ производителя