Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB12NM50T4

STB12NM50T4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
550 V
Drain current
12 A
Power dissipation
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTB12NM50T4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage550 V
Drain current12 A
Power dissipation160 W
КорпусD2PAK, TO263
On-state resistance0.35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; 160W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.