Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB120NF10T4

STB120NF10T4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
77 A
Рассеиваемая мощность
312 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 187 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%763,91 ₽

Сумма · с НДС 22%763,91 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1763,91 ₽
от 2699,35 ₽
от 10520,03 ₽
от 25435,75 ₽
от 50383,75 ₽
от 100344,30 ₽
от 200313,81 ₽
от 500288,71 ₽
от 1000279,74 ₽
от 3000268,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTB120NF10T4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current77 A
Рассеиваемая мощность312 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK; ESD

Документация

Документ производителя