Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB11NM80T4

STB11NM80T4
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
8A
Pulsed drain current
44A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB11NM80T4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current8A
Pulsed drain current44A
Power dissipation150W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK

Документация

Документ производителя