STMICROELECTRONICS
Транзистор STB11NK50ZT4
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 6.3 A
- Pulsed drain current
- 40 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 586 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%579,18 ₽
Сумма · с НДС 22%579,18 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 579,18 ₽ | |
| от 10 | 410,49 ₽ | |
| от 50 | 331,76 ₽ | |
| от 100 | 298,03 ₽ | |
| от 500 | 224,92 ₽ | |
| от 1000 | 194,93 ₽ | |
| от 2000 | 164,94 ₽ | |
| от 3000 | 161,20 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STB11NK50ZT4 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 6.3 A |
| Pulsed drain current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.52 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.