Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB11N65M5

STB11N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
5.6A
Pulsed drain current
36A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB11N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current5.6A
Pulsed drain current36A
Power dissipation85W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.48Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A

Документация

Документ производителя