Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STB100N10F7

STB100N10F7
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
STripFET™ F7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
70A
Pulsed drain current
320A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTB100N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySTripFET™ F7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current70A
Pulsed drain current320A
Power dissipation150W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge61nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A

Документация

Документ производителя